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jfet 文章 進(jìn)入jfet技術(shù)社區
如何成為硬件高手
- 摘要：駕駛著(zhù)進(jìn)取號電子飛船，從發(fā)射區進(jìn)入充滿(mǎn)黑洞的基區，一些同伴被黑洞束縛，一些擄去另一世界，你幸運地躲過(guò)一劫飛到集電結，受到強大的吸力快速渡越出集電區，漫游在低阻導線(xiàn)上，松了一口氣。然而前路不如你所愿地一帆風(fēng)順，阻力重重的負載中到處碰壁…… 古人學(xué)問(wèn)無(wú)遺力，少壯工夫老始成。若問(wèn)硬件速成法，猶似浮沙立大廈。千萬(wàn)別認為看后就能成為高手，當然筆者亦非高手，水滴石穿又豈是朝夕之功!謹以過(guò)往經(jīng)歷和拙見(jiàn)與在校學(xué)生朋友和剛工作的工程師分享共勉?！ ±碚搶W(xué)習 沒(méi)有滿(mǎn)腹經(jīng)綸，何能出口成章。但覺(jué)得書(shū)海茫茫，不知從何
- 關(guān)鍵字： 仿真 JFET
結型場(chǎng)效應管(JFET)的基礎知識
- 結構與符號： ? ? 在N區兩側擴散兩個(gè)P+區，形成兩個(gè)PN結。兩個(gè)P+區相連，引出柵極g。N體的上下兩端分別引出漏極d和源極s?！ щ娫恚骸 ? ? (1)VGS=0時(shí)，N型棒體導電溝道最寬(N型區)。有了VDS后，溝道中的電流最大?！ ?2)VGS<0時(shí)，耗盡層加寬(主要向溝道一測加寬)，并向溝道中間延伸，溝道變窄?！ ‘擵GS
- 關(guān)鍵字： JFET
CMOS放大器和JFET放大器的輸入偏置電流
- 由于具有較低的偏置電流，人們經(jīng)常選用CMOS和JFET運算放大器。然而你應該意識到，這個(gè)事實(shí)還與很多其它的原因相關(guān)?！ MOS晶體管的柵極 (CMOS運算放大器的輸入端)有極低的輸入電流。必須設計附加的電路來(lái)對脆弱的柵極進(jìn)行ESD和EOS保護。這些附加的電路是輸入偏置電流的主要來(lái)源。這些保護電路一般都通過(guò)在電源軌之間接入鉗位二極管來(lái)實(shí)現。圖1a中的OPA320就是一個(gè)例子。這些二極管會(huì )存在大約幾皮安的漏電流。當輸入電壓大約達到電源軌中間值的時(shí)候，漏電流匹配的相當好，僅僅會(huì )存在小于1皮安的殘余誤差電流
- 關(guān)鍵字： CMOS JFET
場(chǎng)效應管工作原理- -場(chǎng)效應管工作原理也瘋狂
- 一、場(chǎng)效應管的工作原理- -概念 場(chǎng)效應管(FET)是場(chǎng)效應晶體管(field-effect transistor)的簡(jiǎn)稱(chēng)，由于它僅靠半導體中的多數載流子導電，也稱(chēng)為單極性場(chǎng)效應管，是一種常見(jiàn)的利用輸入回路的電場(chǎng)效應來(lái)控制輸出回路電流的一種電壓控制性半導體器件，場(chǎng)效應管不但具有雙極性晶體管體積小、重量輕、壽命長(cháng)等優(yōu)點(diǎn)，而且輸入回路的內阻高達107~1012Ω，噪聲低，熱穩定性好，抗輻射能力強，且比后者耗電省，這些優(yōu)點(diǎn)使之從20世紀60年代誕生起就廣泛地應用于各種電子電路之中。 二、
- 關(guān)鍵字： 場(chǎng)效應管 MOS JFET 場(chǎng)效應管工作原理
Power Integrations將銷(xiāo)售SiC二極管和JFET
- 用于高能效電源轉換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導者Power Integrations公司今日宣布同SemiSouth Laboratories簽署代表其在歐洲以外市場(chǎng)銷(xiāo)售創(chuàng )新的碳化硅(SiC)二極管和JFET系列產(chǎn)品的協(xié)議。
- 關(guān)鍵字： Power Integrations SiC二極管 JFET
德州儀器推出業(yè)界速度最快的 JFET 輸入放大器
- 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出 OPA653 與 OPA659 JFET 輸入運算放大器，其可實(shí)現3 倍于同類(lèi)競爭產(chǎn)品的 2675 V/us 壓擺率，從而可顯著(zhù)提高脈沖響應。上述放大器將寬帶電壓反饋放大器與高阻抗 JFET 輸入級完美結合，可通過(guò)其高頻率帶寬和低總諧波失真充分滿(mǎn)足頻率域與 FET 分析的需求。 OPA653 與 OPA659 的主要特性與優(yōu)勢 業(yè)界最佳的壓擺率與低失真可提高時(shí)間域和脈沖型應用的信號完整性： o OPA653 是一款具有 2675
- 關(guān)鍵字： TI 運算放大器 JFET
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jfet介紹
最早具有實(shí)際結構的場(chǎng)效應晶體管是在N型或者P型半導體基片上制作一對PN結及相應的金屬電極，兩個(gè)PN結之間有導電溝道，通過(guò)改變外加PN界的反向偏置電壓，以改變PN結耗盡層的厚度，從而達到改變溝道區載流子密度以控制溝道輸出電流的目的，因此，這種場(chǎng)效應管也被稱(chēng)為PN結型場(chǎng)效應晶體管，即PN JFET（PN Junction FET），通常也稱(chēng)JFET。
什么是 JFET
一種單極的三層晶 [ 查看詳細 ]
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